IGBT ले MELF प्याच ग्लास सिल गरिएको NTC थर्मिस्टर प्रयोग गर्दछ

एक पेशेवर निर्यातकको रूपमा, X-Meritan ले ग्राहकहरूलाई अन्तर्राष्ट्रिय गुणस्तर मापदण्डहरू पूरा गर्ने चीनमा निर्मित IGBT प्रयोग MELF प्याच ग्लास सिल गरिएको NTC थर्मिस्टर प्रदान गर्दछ। IGBT एक पूर्ण नियन्त्रित, भोल्टेज-संचालित पावर सेमीकन्डक्टर यन्त्र हो जसमा कम अन-स्टेट भोल्टेज ड्रप हुन्छ र यसलाई पावर इलेक्ट्रोनिक्समा व्यापक रूपमा प्रयोग गरिन्छ। यसले MOSFET को भोल्टेज-संचालित विशेषताहरूलाई BJT को कम अन-स्टेट हानिसँग जोड्दछ, उच्च वर्तमान र उच्च भोल्टेज अनुप्रयोगहरूलाई द्रुत स्विचिंग गति र उच्च दक्षताको साथ समर्थन गर्दछ। IGBT को समग्र प्रदर्शन अन्य पावर उपकरणहरू द्वारा बेजोड छ। यसको फाइदा MOSFET को उच्च इनपुट प्रतिबाधा GTR को कम अन-स्टेट भोल्टेज ड्रप संग संयोजन मा निहित छ। जबकि GTR ले कम संतृप्ति भोल्टेज र उच्च वर्तमान घनत्व प्रदान गर्दछ, तिनीहरूलाई पनि उच्च ड्राइभ प्रवाह चाहिन्छ। MOSFET ले कम ड्राइभ पावर खपत र छिटो स्विचिंग गतिमा उत्कृष्टता हासिल गर्दछ, तर उच्च अन-स्टेट भोल्टेज ड्रप र कम वर्तमान घनत्वबाट पीडित छन्। IGBT ले चलाखीपूर्वक कम संतृप्ति भोल्टेज प्राप्त गर्दा कम ड्राइभ पावर खपत कायम राख्दै, दुबै यन्त्रहरूको फाइदाहरू संयोजन गर्दछ।

विशेषताहरु:

स्थानान्तरण विशेषताहरू: कलेक्टर वर्तमान र गेट भोल्टेज बीचको सम्बन्ध। टर्न-अन भोल्टेज भनेको गेट-टू-एमिटर भोल्टेज हो जसले IGBT लाई चालकता मोड्युलेसन प्राप्त गर्न सक्षम बनाउँछ। टर्न-अन भोल्टेज बढ्दो तापक्रमसँगै थोरै घट्छ, तापक्रममा प्रत्येक 1°C वृद्धिको लागि यसको मान लगभग 5mV ले घट्छ। भोल्ट-एम्पियर विशेषताहरू: आउटपुट विशेषताहरू, अर्थात्, कलेक्टर वर्तमान र कलेक्टर-देखि-एमिटर भोल्टेज बीचको सम्बन्ध, सन्दर्भ चरको रूपमा गेट-टू-एमिटर भोल्टेजसँग मापन गरिन्छ। आउटपुट विशेषतालाई तीन क्षेत्रहरूमा विभाजन गरिएको छ: अगाडि अवरुद्ध, सक्रिय, र संतृप्ति। सञ्चालनको क्रममा, IGBT मुख्य रूपमा फर्वार्ड अवरुद्ध र संतृप्ति क्षेत्रहरू बीच स्विच गर्दछ।

कम्पनीका फाइदाहरू:

निर्माताले प्राविधिक रूपमा उन्नत IGBT मोड्युलहरू प्रदान गर्दछ जसले बहु क्षेत्रहरू कभर गर्दछ र बहु-ब्रान्ड वितरण क्षमताहरू छन्। व्यावसायिक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट आपूर्तिकर्ताहरू मार्फत, हामी विश्वव्यापी वितरण सेवाहरू प्रदान गर्दछौं।